onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V N, 3-Pin TO-252 NTD600N80S3Z
- RS Stock No.:
- 229-6454
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD600N80S3Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 7500 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB8,527.50
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB113,645.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB121,600.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 2500 - 5000 | THB45.458 | THB113,645.00 | - |
| 7500 - 10000 | THB44.321 | THB110,802.50 | THB8,527.50 |
| 12500 + | THB43.213 | THB108,032.50 | THB28,062.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 229-6454
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTD600N80S3Z
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | SUPERFET III | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 600mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 6.22mm | |
| Width | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series SUPERFET III | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 600mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15.5nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 6.22mm | ||
Width 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET 800 V N, 3-Pin TO-252 NTD600N80S3Z
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-252 NTD250N65S3H
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-252 NTD360N65S3H
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET & Diode 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NTD360N80S3Z
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220 NTPF250N65S3H
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220 NTPF360N65S3H
- onsemi SUPERFET III N-Channel MOSFET 650 V N, 3-Pin TO-220 NTPF190N65S3H