onsemi SUPERFET III Type N-Channel MOSFET & Diode, 13 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
205-2503
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTP360N80S3Z
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET & Diode

Maximum Continuous Drain Current Id

13A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Series

SUPERFET III

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.3nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

30.7mm

Standards/Approvals

No

Width

9.65 mm

Height

4.7mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor SUPERFET III series N-channel 800V MOSFET is optimized for primary switch of fly back converter, enables lower switching losses and case temperature without sacrificing EMI performance thanks to its optimized design. In addition, internal zener diode significantly improves ESD capability. This new family enables make more efficient, compact, cooler and more robust applications because of its remarkable performance in switching power applications such as Laptop adapter, Audio, Lighting, ATX power and industrial power supplies.

Continuous Drain Current rating is 13A

Drain to source on resistance rating is 360mohm

Ultra low gate charge

Low stored energy in output capacitance

100% avalanche tested

Package type is TO-220

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง