Vishay SQD10950E N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD10950E_GE3

RS Stock No.:: 200-6792
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD10950E_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SQD10950E N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD10950E_GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (2000 ชิ้น, ในม้วนขนาด 2000)*

THB50,372.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB53,898.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 มีนาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 2000	THB25.186	THB50,372.00
4000 - 6000	THB24.431	THB48,862.00
8000 +	THB23.698	THB47,396.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 200-6792
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQD10950E_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Series	SQD10950E
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	180mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	62W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	10.41mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.38mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 11.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Series SQD10950E
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 62W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 10.41mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.38mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Document- SQD10950E_GE3

The Vishay SQD10950E_GE3 is a automotive N-channel 250V (D-S) 175°C MOSFET.

TrenchFET power MOSFET

Package with low thermal resistance

100 % Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Vishay SQD10950E N-Channel MOSFET, 11.5 A, 250 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD10950E_GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ตัวเลือกราคาสำหรับซื้อจำนวนมาก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง