Vishay SQD50034EL N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50034EL_GE3
- RS Stock No.:
- 200-6787
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50034EL_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB92,982.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB99,490.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 มิถุนายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB46.491 | THB92,982.00 |
| 4000 - 6000 | THB45.48 | THB90,960.00 |
| 8000 + | THB44.469 | THB88,938.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 200-6787
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SQD50034EL_GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SQD50034EL | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 107W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.38mm | |
| Height | 6.22mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SQD50034EL | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 107W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.38mm | ||
Height 6.22mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay SQD50034EL_GE3 is a automotive N-channel 60V (D-S) 175°C MOSFET.
TrenchFET power MOSFET
Package with low thermal resistance
100 % Rg and UIS tested
AEC-Q101 qualified
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SQD50034EL N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50034EL_GE3
- Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD50034E_GE3
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD034N06N3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD031N06L3GATMA1
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD100N06S403ATMA2
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SQM50034E N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SQM50034E_GE3