STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V, 3-Pin TO-247 STWA75N60DM6

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
195-2678
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STWA75N60DM6
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

72 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

36 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

446 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Length

15.9mm

Number of Elements per Chip

1

Width

5.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

117 nC @ 10 V

Forward Diode Voltage

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.1mm

COO (Country of Origin):
CN
These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) * area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected

For these non-cancellable (NC), and non-returnable (NR) products, Terms and Conditions apply.


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง