STMicroelectronics Single 1 N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA75N60DM6
- RS Stock No.:
- 195-2678
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA75N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB11,493.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB12,298.35
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB383.126 | THB11,493.78 |
| 60 - 90 | THB374.797 | THB11,243.91 |
| 120 + | THB366.468 | THB10,994.04 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2678
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA75N60DM6
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 36mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 446W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 21.1mm | |
| Length | 15.9mm | |
| Width | 5.1mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 446W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 21.1mm | ||
Length 15.9mm | ||
Width 5.1mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
These high voltage N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) * area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Single 1 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA75N60DM6
- STMicroelectronics Single 1 N-Channel 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N65DM2
- STMicroelectronics N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA75N60M6
- STMicroelectronics Single 1 N-Channel 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV STL13N60M6
- ROHM Single 1 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6015ANX
- STMicroelectronics Single MDmesh 1 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STF13NM60N
- Wolfspeed Single 1 N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247-4 C3M0016120K
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB13N50APBF