onsemi NVMYS3D3N06CL Type N-Channel MOSFET, 133 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS3D3N06CLTWG

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
195-2513
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVMYS3D3N06CLTWG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

133A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

LFPAK

Series

NVMYS3D3N06CL

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

40.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Width

4.25 mm

Height

1.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง

Recently viewed