onsemi NVMYS014N06CL Type N-Channel MOSFET, 36 A, 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- RS Stock No.:
- 195-2543
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMYS014N06CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB88,950.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB95,190.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB29.65 | THB88,950.00 |
| 6000 - 9000 | THB29.005 | THB87,015.00 |
| 12000 + | THB28.36 | THB85,080.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2543
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVMYS014N06CLTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 36A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | NVMYS014N06CL | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 9.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 37W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.25 mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 36A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series NVMYS014N06CL | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 37W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.25 mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK4 Package, Industry Standard
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NVMYS014N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS014N06CLTWG
- onsemi NTMYS014N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS014N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS014N06CLTWG
- onsemi NVMYS1D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS3D3N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS021N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS025N06CL Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin LFPAK