onsemi NVMYS1D3N04C N-Channel MOSFET, 252 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
185-8162
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NVMYS1D3N04CTWG
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

252A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

NVMYS1D3N04C

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

134W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

75nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.25mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

ไม่สอดคล้อง

COO (Country of Origin):
PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง