STMicroelectronics STD5N Type N-Channel MOSFET, 3.5 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 STD5N60DM2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB620.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB664.05

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 15 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 600THB24.824THB620.60
625 - 1225THB24.203THB605.08
1250 +THB23.831THB595.78

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
193-5390
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STD5N60DM2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-252

Series

STD5N

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.55Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

45W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Forward Voltage Vf

1.6V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

2.2mm

Length

6.6mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Low on-resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง