STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

RS Stock No.:: 192-4925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP26N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB341.15

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB365.03

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

66 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 12	THB170.575	THB341.15
14 - 24	THB166.31	THB332.62
26 +	THB163.755	THB327.51

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 192-4925
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP26N60DM6
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	15A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	195mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	24nC
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	15.75mm
	Length	10.4mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.6 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 15A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 195mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24nC
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 15.75mm
	Length 10.4mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.6 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with effective switching behavior for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง