STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 7.5 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 188-8296
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS7NF60L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB63,720.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB68,180.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 5,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB25.488 | THB63,720.00 |
| 5000 - 7500 | THB24.723 | THB61,807.50 |
| 10000 + | THB23.982 | THB59,955.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8296
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STS7NF60L
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4 mm | |
| Length | 5mm | |
| Height | 1.65mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4 mm | ||
Length 5mm | ||
Height 1.65mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
TYPICAL RDS(on) = 0.017 Ω
LOW THRESHOLD DRIVE
STANDARD OUTLINE FOR EASY AUTOMATED SURFACE MOUNT ASSEMBLY
APPLICATIONS
DC MOTOR DRIVE
DC-DC CONVERTERS
BATTERY MANAGEMENT INOMADIC EQUIPMENT
POWER MANAGEMENT IPORTABLE/DESKTOP Pcs
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 STS7NF60L
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 700 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP9NK70ZFP
- STMicroelectronics STGAP2 Type N-Channel MOSFET 1700 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Si7850DP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR870ADP Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8