STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 188-8284
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB80NF55-06T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1000 ชิ้น)*
THB60,601.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB64,843.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | THB60.601 | THB60,601.00 |
| 2000 - 3000 | THB58.782 | THB58,782.00 |
| 4000 + | THB57.019 | THB57,019.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-8284
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STB80NF55-06T4
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 80A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 142nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.4mm | |
| Width | 9.35 mm | |
| Height | 4.37mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 80A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 142nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.4mm | ||
Width 9.35 mm | ||
Height 4.37mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Exceptional dv/dt capability
Application oriented characterization
Applications
Switching application
Applications
Switching application
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55-06T4
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB80NF55L-06T4
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2H5ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S2L09ATMA2
- Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP80NF55-06
- STMicroelectronics STripFET F3 Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-252