Vishay SUP60020E N-Channel MOSFET, 150 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SUP60020E-GE3
- RS Stock No.:
- 188-5143P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP60020E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 15 ชิ้น (จัดส่งในหลอด)*
THB2,262.78
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,421.18
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 1,060 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 15 - 20 | THB150.852 |
| 25 + | THB148.536 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5143P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SUP60020E-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SUP60020E | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 151.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.51mm | |
| Width | 4.65mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SUP60020E | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.51mm | ||
Width 4.65mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET
Maximum 175 °C junction temperature
Very low Qgd reduces power loss from passing through Vplateau