Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET, 45.1 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS126DN-T1-GE3

RS Stock No.:: 188-5134
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIS126DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET, 45.1 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS126DN-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB251.33

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB268.92

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 24 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 740	THB25.133	THB251.33
750 - 1490	THB24.505	THB245.05
1500 +	THB24.129	THB241.29

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 188-5134
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SIS126DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	45.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	SiS126DN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	21.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Height	1.07mm
	Width	3.15 mm
	Distrelec Product Id	304-32-534
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 45.1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series SiS126DN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21.1nC
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Height 1.07mm
	Width 3.15 mm
	Distrelec Product Id 304-32-534
	Automotive Standard No

Datasheet SIS126DN-T1-GE3

N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

Vishay SiS126DN Type N-Channel MOSFET, 45.1 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS126DN-T1-GE3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง