Vishay SiRA84BDP Type N-Channel MOSFET, 70 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiRA84BDP-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 188-5078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB352.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB377.40
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 350 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB14.108 | THB352.70 |
| 750 - 1475 | THB13.755 | THB343.88 |
| 1500 + | THB13.543 | THB338.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5078
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiRA84BDP-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 70A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SiRA84BDP | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 7.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 36W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 20.7nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5 mm | |
| Height | 1.07mm | |
| Length | 5.99mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 70A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SiRA84BDP | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 7.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 36W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20.7nC | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5 mm | ||
Height 1.07mm | ||
Length 5.99mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiRA84BDP Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAIR 3 x 3S SIZ256DT-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SC-70
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS76LDN Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS178LDN-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS176LDN-T1-GE3
