Vishay SiA471DJ Type P-Channel MOSFET, 30.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin SC-70 SiA471DJ-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 188-5019P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiA471DJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*
THB15,707.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB16,806.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,650 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 750 - 1475 | THB20.943 |
| 1500 + | THB20.621 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 188-5019P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SiA471DJ-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30.3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SC-70 | |
| Series | SiA471DJ | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +16V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 2.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.15mm | |
| Height | 750μm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30.3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SC-70 | ||
Series SiA471DJ | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +16V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18.5nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 2.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.15mm | ||
Height 750μm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV p-channel power MOSFET
Thermally enhanced PowerPAK® SC-70 package
Very low RDS(on) x area minimizes power loss on limited PCB real estate