onsemi BVSS8L Type P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 184-4197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BVSS84LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB8,379.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB8,967.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
ขาดตลาด
- 18,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
สต็อกปัจจุบันของเรามีจำนวนจำกัด และซัพพลายเออร์ของเราคาดว่าสินค้าจะขาดแคลน
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.793 | THB8,379.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.709 | THB8,127.00 |
| 12000 + | THB2.628 | THB7,884.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-4197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BVSS84LT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 130mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 50V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | BVSS8L | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 225mW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4 mm | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.01mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 130mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 50V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series BVSS8L | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 225mW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.2nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4 mm | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.01mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -50V -130mA 10 Ohm Single P-Channel SOT-23 Logic Level. PPAP capable suitable for automotive applications.
AEC Qualified
PPAP Capable
Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
Automotive MOSFET
Applications
DC-DC Converters
Load Switching
Power Management in portable and battery-powered products such as computers, printers, cellular and cordless telephones
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi BVSS8L Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BVSS84LT1G
- onsemi BSS84L Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi BSS84 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS84
- onsemi BSS84L Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 BSS84LT1G
- onsemi BSS84 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS84 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement215
- Nexperia BSS84 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex BSS84 Type P-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23