onsemi BSS84 Type P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 166-2408
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS84
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi BSS84 Type P-Channel MOSFET, 130 mA, 50 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB13,407.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB14,346.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 08 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB4.469	THB13,407.00
6000 - 9000	THB4.335	THB13,005.00
12000 +	THB4.205	THB12,615.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-2408
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSS84
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	130mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	50V
	Package Type	SOT-23
	Series	BSS84
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.9nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3mm
	Height	1mm
	Width	1.3 mm
	Automotive Standard	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 130mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 50V
	Package Type SOT-23
	Series BSS84
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3mm
	Height 1mm
	Width 1.3 mm
	Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

Enhancement Mode P-Channel MOSFET, ON Semiconductor

ON Semiconductors range of P-Channel MOSFETS are produced using ON Semi’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance to provide a rugged and reliable performance for fast switching.

Features and Benefits:

• Voltage controlled P-Channel small signal switch

• High-Density cell design

• High saturation current

• Superior switching

• Great rugged and reliable performance

• DMOS technology

Applications:

• Load Switching

• DC/DC converter

• Battery protection

• Power management control

• DC motor control

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.