onsemi NTE Type N-Channel MOSFET, 915 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- RS Stock No.:
- 184-1063
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTE4153NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB8,550.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,150.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 3,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB2.85 | THB8,550.00 |
| 6000 - 9000 | THB2.793 | THB8,379.00 |
| 12000 + | THB2.737 | THB8,211.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 184-1063
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTE4153NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 915mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SC-89 | |
| Series | NTE | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 1.82nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 6 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300mW | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1.7mm | |
| Width | 0.95 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 915mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SC-89 | ||
Series NTE | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.82nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 6 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300mW | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1.7mm | ||
Width 0.95 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD Protection
Low RDS(on) Improving System Efficiency
Low Threshold Voltage, 1.5V Rated
ESD Protected Gate
Applications:
Load/Power Switches
Power Supply Converter Circuits
Battery Management
Portables like Cell Phones, PDAs, Digital Cameras, Pagers, etc.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTE Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4153NT1G
- onsemi NTA Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75
- onsemi NTA Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-75 NTA4153NT1G
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89
- onsemi Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89 NTE4151PT1G
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SC-89
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89 FDY1002PZ
