DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 0.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMN2450UFD-7
- RS Stock No.:
- 182-7197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2450UFD-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 100 ชิ้น)*
THB261.40
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB279.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 7,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 100 - 700 | THB2.614 | THB261.40 |
| 800 - 1400 | THB2.548 | THB254.80 |
| 1500 + | THB2.509 | THB250.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 182-7197
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN2450UFD-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 0.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | X1-DFN | |
| Series | DMN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 890mW | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.25 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 0.48mm | |
| Length | 1.25mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 0.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type X1-DFN | ||
Series DMN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 890mW | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.25 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 0.48mm | ||
Length 1.25mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
Low On-Resistance
Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
ESD Protected Gate
Totally Lead-Free
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
Power Management Functions
Battery Operated Systems and Solid-State Relays
Load Switch
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMN2310UFD-7
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMN1150UFB-7B
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMN62D1LFB-7B
- DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMN62D4LFB-7B
- DiodesZetex DMP Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN