DiodesZetex DMN Type N-Channel MOSFET, 0.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMN2310UFD-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB232.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB248.30

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 2,875 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 25THB9.282THB232.05
50 - 75THB8.818THB220.45
100 - 225THB7.936THB198.40
250 - 975THB6.746THB168.65
1000 +THB5.396THB134.90

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
246-7511
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMN2310UFD-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

0.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

DMN

Package Type

X1-DFN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

890mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

1.25 mm

Height

0.53mm

Length

1.25mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN1212-3 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V and Maximum gate to source voltage is ±8 V It offers a ultra-small package size It has low input/output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง