DiodesZetex DMN N-Channel MOSFET, 900 mA, 20 V Enhancement, 3-Pin X1-DFN DMN2310UFD-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
246-7511
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMN2310UFD-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

900mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

X1-DFN

Series

DMN

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.7nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

890mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

1.25mm

Height

530μm

Standards/Approvals

No

Width

1.25mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in U-DFN1212-3 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application.

Maximum drain to source voltage is 20 V and Maximum gate to source voltage is ±8 V It offers a ultra-small package size It has low input/output leakage

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง