DiodesZetex Single 1 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8 DMP2040USD-13
- RS Stock No.:
- 182-7019
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMP2040USD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB689.30
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB737.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 600 | THB13.786 | THB689.30 |
| 650 - 1200 | THB13.441 | THB672.05 |
| 1250 + | THB13.234 | THB661.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 182-7019
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMP2040USD-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 52mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Forward Voltage Vf | -7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Height | 1.5mm | |
| Length | 4.95mm | |
| Standards/Approvals | J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | |
| Width | 3.9 mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 52mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Forward Voltage Vf -7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Height 1.5mm | ||
Length 4.95mm | ||
Standards/Approvals J-STD-020, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202 | ||
Width 3.9 mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- DiodesZetex Single 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Single 1 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC DMN3018SSD-13
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 60 V TO-263
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 50 V TO-220AB
- Vishay Single 1 Type P-Channel Power MOSFET 100 V TO-263 IRF9520SPBF