onsemi FDMS86181 N-Channel MOSFET, 124 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB142,476.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB152,448.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB47.492THB142,476.00
6000 - 9000THB46.068THB138,204.00
12000 +THB44.686THB134,058.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
181-1857
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FDMS86181
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

124A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

FDMS86181

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

12mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.05mm

Length

5.85mm

Width

5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
PH
This N-Channel MV MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.

Shielded Gate MOSFET Technology

Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 44 A

Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 22 A

ADD

50% lower Qrr than other MOSFET suppliers

Lowers switching noise/EMI

This product is general usage and suitable for many different applications.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง