Vishay Single 1 N-Channel MOSFET, 5.5 A, 400 V IRF730ASPBF
- RS Stock No.:
- 180-8303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF730ASPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*
THB2,537.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB2,714.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 50 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB50.74 | THB2,537.00 |
| 100 - 150 | THB49.637 | THB2,481.85 |
| 200 + | THB48.534 | THB2,426.70 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8303
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF730ASPBF
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 400V | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 10.67mm | |
| Length | 9.65mm | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 400V | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Transistor Configuration Single | ||
Height 4.83mm | ||
Width 10.67mm | ||
Length 9.65mm | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 400V and maximum gate-source voltage of 30V. It has a drain-source resistance of 10mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 74W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
• Halogen and lead (Pb) free component
• Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt
• Low gate charge Qg results in simple drive requirement
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• High speed power switching
• Switch mode power supply (SMPS)
• Uninterruptible power supplies
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 400 V IRF730ASPBF
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR882ADP-T1-GE3
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8L SQJ488EP-T1_GE3
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 50 V, 4-Pin HVMDIP IRFD020PBF
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin IRFU120PBF
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin HVMDIP IRLD120PBF
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB13N50APBF
- Vishay Single 1 N-Channel MOSFET 100 V, 3-Pin IRLR110PBF