Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD053N06NATMA1

RS Stock No.:: 178-7370
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD053N06NATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 N-Channel MOSFET, 45 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD053N06NATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (2500 ชิ้น, ในม้วนขนาด 2500)*

THB47,477.50

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB50,800.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,500 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 05 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB18.991	THB47,477.50
5000 - 7500	THB18.421	THB46,052.50
10000 +	THB17.868	THB44,670.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 178-7370
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPD053N06NATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	OptiMOS 5
	Package Type	TO-252
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	27nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	83W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.41mm
	Standards/Approvals	No
	Width	6.22mm
	Length	6.73mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 45A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series OptiMOS 5
	Package Type TO-252
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 83W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.41mm
	Standards/Approvals No
	Width 6.22mm
	Length 6.73mm
	Automotive Standard No

IPD053N06N OptiMOS Power-Transistor

สถานะRoHS: ได้รับการยกเว้น

Infineon OptiMOS 5 Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 45A Maximum Continuous Drain Current - IPD053N06NATMA1

This MOSFET is an N‑channel enhancement device designed for high‑current switching in surface‑mounted power assemblies. It operates across a wide ambient range for demanding thermal environments and is intended for applications where low conduction losses and rapid switching are required. The device supports standard drive voltages and provides a controlled forward conduction characteristic suitable for modern power conversion and motor‑drive topologies.

Features and Benefits:

• 8mΩ Rds(on) reduces conduction losses and improves efficiency
• 45A continuous drain current supports high‑current designs
• 27nC typical gate charge enables faster switching transitions
• 83W maximum power dissipation allows high‑power operation
• 20V gate tolerance accommodates common gate‑drive schemes

Applications

• Suitable for synchronous buck converters in power supplies
• Ideal for three‑phase motor inverter half‑bridges
• Used with battery management systems in high‑current paths
• Can be used for DC‑DC conversion in telecoms equipment
• Appropriate for load‑switching in industrial automation units

What gate‑drive considerations affect switching performance?

Driving the gate towards the 20V limit reduces on‑resistance but increases switching losses

selecting a driver that balances voltage and slew rate optimises efficiency and electromagnetic behaviour.

How should thermal conditions be managed for continuous operation?

With an 83W dissipation rating, heatsinking and PCB copper area must be sized to maintain junction temperatures within the device’s -55°C to 175°C operational range for reliable long‑term operation.

What mechanical constraints affect PCB layout for this device?

The TO‑252 surface‑mount package requires attention to pad geometry and thermal vias to transfer heat from the solderable package base into the board’s thermal planes.

How does forward voltage influence conduction calculations?

A typical forward voltage of 1.2V should be included when calculating voltage drop and power loss in conduction intervals, particularly under high‑current conditions.