onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL040N65S3F

RS Stock No.:: 178-4448
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTHL040N65S3F
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL040N65S3F

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้

ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด

ตัวเลือก

สินค้านี้ไม่มีจำหน่ายในขณะนี้ ลองดูสินค้าอื่นที่เราแนะนำ

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

RS Stock No.: 178-4253

Each (In a Tube of 30)

THB441.332

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB472.225

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

RS Stock No.:: 178-4448
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTHL040N65S3F
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	NTHL
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	40mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd	446W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	158nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	20.82mm
	Width	4.82 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	15.87mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 65A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series NTHL
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Power Dissipation Pd 446W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 158nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 20.82mm
	Width 4.82 mm
	Standards/Approvals No
	Length 15.87mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.

Features

700 V @ TJ = 150

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 158 nC)

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1366pF)

Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)

Optimized Capacitance

Typ. RDS(on) = 32 mΩ

Applications

Telecommunication

Cloud system

Industrial

Benefits

Higher system reliability at low temperature operation

Lower switching loss

Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

End Products

Telecom power

Server power

EV charger

Solar / UPS

onsemi NTHL Type N-Channel MOSFET, 65 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL040N65S3F

ตัวเลือก

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง