onsemi N-Channel MOSFET, 83 A, 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 NVD5C454NT4G
- RS Stock No.:
- 178-4293
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVD5C454NT4G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB95,247.50
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB101,915.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB38.099 | THB95,247.50 |
| 5000 - 7500 | THB36.956 | THB92,390.00 |
| 10000 + | THB35.847 | THB89,617.50 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4293
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NVD5C454NT4G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 83A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 6.22mm | |
| Length | 6.73mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 2.25mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 83A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 6.22mm | ||
Length 6.73mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 2.25mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- VN
Automotive Power MOSFET in a DPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.Suitable for automotive applications.
Features
Low on-resistance
High current capability
PPAP capable
Benefits
Minimal conduction losses
Robust load performance
Voltage overstress safeguard
Applications
Low Side Driver
High Side Driver
Motor drive
End Products
Automotive powertrain
Automotive HVAC motors
ABS pressure pumps
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 NVD5C454NT4G
- onsemi NTMFS3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 5-Pin DFN-5 NTMFS3D1N04XMT1G
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin WDFN FDMS86322
- onsemi N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin TO-252 NVD5C454NLT4G
- Infineon CoolSiC N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PG-TO247-4 IMZA65R020M2HXKSA1
- onsemi NTMYS8D0N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS8D0N04CTWG
- onsemi NTMYS5D3N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS5D3N04CTWG
- onsemi NVMYS8D0N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS8D0N04CTWG