onsemi NTMYS8D0N04C N-Channel MOSFET, 49 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS8D0N04CTWG
- RS Stock No.:
- 195-2526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMYS8D0N04CTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB94,371.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB100,977.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 20 ตุลาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB31.457 | THB94,371.00 |
| 6000 - 9000 | THB30.773 | THB92,319.00 |
| 12000 + | THB30.089 | THB90,267.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 195-2526
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMYS8D0N04CTWG
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 49A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTMYS8D0N04C | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 8.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.25mm | |
| Height | 1.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 49A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTMYS8D0N04C | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 8.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.25mm | ||
Height 1.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK4 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMYS8D0N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS8D0N04CTWG
- onsemi NVMYS8D0N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS8D0N04CTWG
- onsemi NVMYS8D0N04C N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- Infineon IMZC120 N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin PG-TO-247-4-U07 IMZC120R026M2HXKSA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC093N04LSGATMA1
- onsemi NVD5C668NL N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 NVD5C668NLT4G
- onsemi Dual NVMFD5C672NL 2 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin DFN NVMFD5C672NLT1G
