onsemi FDD Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- RS Stock No.:
- 178-4231
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDD86250-F085
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB96,970.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB103,757.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 5,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB38.788 | THB96,970.00 |
| 5000 - 7500 | THB37.625 | THB94,062.50 |
| 10000 + | THB36.496 | THB91,240.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 178-4231
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- FDD86250-F085
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | FDD | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.25V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 6.73mm | |
| Width | 6.22 mm | |
| Height | 2.39mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series FDD | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.25V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 6.73mm | ||
Width 6.22 mm | ||
Height 2.39mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 150 V, 50 A, 22 mΩ
Typical RDS(on) = 19.4 mΩ at VGS = 10V, ID = 20 A
Typical Qg(tot) = 28 nC at VGS = 10V, ID = 40 A
UIS Capability
Applications:
Automotive Engine Control
PowerTrain Management
Solenoid and Motor Drivers
Distributed Power Architectures and VRM
Primary Switch for 12V Systems
End Products:
Integrated Starter/Alternator
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi FDD Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250-F085
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252 FDD86250
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252
- Infineon IPD200N15N3 G Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 5-Pin TO-252 IPD200N15N3GATMA1
- ROHM RX3R05BBH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RX3R05BBHC16
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP200N15N3GXKSA1