Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

RS Stock No.:: 178-3916P
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SQJA76EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย 750 ชิ้น (จัดส่งเป็นม้วน)*

THB26,871.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB28,752.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 03 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
750 - 1490	THB35.829
1500 +	THB35.278

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	SO-8
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	66nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	66W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5 mm
	Length	5.99mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.07mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 75A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type SO-8
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 66nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 66W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5 mm
	Length 5.99mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.07mm
	Automotive Standard AEC-Q101