onsemi NTMFS6H801N N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS6H801NT1G
- RS Stock No.:
- 172-8986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS6H801NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB526.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB563.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 1,275 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 370 | THB105.25 | THB526.25 |
| 375 - 745 | THB102.618 | THB513.09 |
| 750 + | THB101.042 | THB505.21 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-8986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS6H801NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 157A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | NTMFS6H801N | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.1mm | |
| Length | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 157A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series NTMFS6H801N | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.1mm | ||
Length 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Commercial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low RDS(on)
Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
Applications
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems
Motor Control
Load Switch
DC/DC converter
Synchronous Rectifier
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMFS6H801N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H801N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H801N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS6H801NT1G
- Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin VSON CSD19502Q5BT
- Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin VSON
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS1X(S
- onsemi NVMFS6H818N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H824N N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
