onsemi NTMFS6H801N Type N-Channel MOSFET, 157 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS6H801NT1G
- RS Stock No.:
- 172-8986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS6H801NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB416.01
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB445.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 4,275 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 370 | THB83.202 | THB416.01 |
| 375 - 745 | THB81.122 | THB405.61 |
| 750 + | THB79.876 | THB399.38 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 172-8986
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTMFS6H801NT1G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 157A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | DFN | |
| Series | NTMFS6H801N | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.4mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 64nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.1 mm | |
| Length | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 157A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type DFN | ||
Series NTMFS6H801N | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.4mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 64nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.1 mm | ||
Length 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Commercial Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm)
Compact Design
Low RDS(on)
Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance
Minimize Driver Losses
Applications
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
48V systems
Motor Control
Load Switch
DC/DC converter
Synchronous Rectifier
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NVMFS6H801N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NVMFS6H801NT1G
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin VSON CSD19502Q5BT
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin VSON
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS1X(S
- onsemi NVMFS6D1N08H Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN
- onsemi NTMFS6H800N Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 5-Pin DFN