onsemi SuperFET II Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
ขออภัย เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกเมื่อใด
RS Stock No.:
172-3425
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
FCP190N65S3
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

SuperFET II

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

190mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

144W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

33nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.7 mm

Length

10.67mm

Height

16.3mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
SuperFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.

700 V @ TJ = 150 oC

Higher system reliability at low temperature operation

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 30 nC)

Lower switching loss

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 277 pF)

Lower switching loss

Optimized Capacitance

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Internal Gate resistance: 7.0 ohm

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Typ. RDS(on) = 170 mΩ

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง