onsemi SuperFET II Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FCP190N65S3

RS Stock No.:: 172-4632
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FCP190N65S3
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi SuperFET II Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FCP190N65S3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB763.68

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB817.14

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

เพิ่มอีก 10 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 190	THB76.368	THB763.68
200 - 390	THB74.459	THB744.59
400 +	THB73.313	THB733.13

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 172-4632
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FCP190N65S3
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	SuperFET II
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	190mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	33nC
	Maximum Power Dissipation Pd	144W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.7 mm
	Height	16.3mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 17A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series SuperFET II
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 190mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33nC
	Maximum Power Dissipation Pd 144W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.7 mm
	Height 16.3mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: CN

SuperFET® III MOSFET is ON Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SuperFET III MOSFET is very suitable for various power system for miniaturization and higher efficiency.

700 V @ TJ = 150 oC

Higher system reliability at low temperature operation

Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 30 nC)

Lower switching loss

Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 277 pF)

Lower switching loss

Optimized Capacitance

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Internal Gate resistance: 7.0 ohm

Lower peak Vds and lower Vgs oscillation

Typ. RDS(on) = 170 mΩ

onsemi SuperFET II Type N-Channel MOSFET, 17 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FCP190N65S3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง