Toshiba Single 1 N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K335R

ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
171-2542
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SSM3K335R
ผู้ผลิต:
Toshiba
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.7mm

Length

2.9mm

Width

1.8mm

Number of Elements per Chip

1

COO (Country of Origin):
TH
4.5-V gate drive voltage.

Low drain-source on-resistance

RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง