Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K335R
- RS Stock No.:
- 171-2542
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM3K335R
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*
THB360.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB386.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | THB7.217 | THB360.85 |
| 100 - 450 | THB6.856 | THB342.80 |
| 500 - 950 | THB6.513 | THB325.65 |
| 1000 + | THB6.187 | THB309.35 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 171-2542
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SSM3K335R
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.7mm | |
| Width | 1.8 mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.7mm | ||
Width 1.8 mm | ||
Length 2.9mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
4.5-V gate drive voltage.
Low drain-source on-resistance
RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 3-Pin SOT-23 SSM3K361R
- Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET EnhancementLF(B
- Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-723 SSM3K37MFV
- Toshiba Single 1 Type N-Channel MOSFET 3-Pin SOT-723 SSM3K37MFV,L3F(B
- Toshiba Single 2SK 1 Type N-Channel MOSFET 900 V EnhancementS5Q(J
- Taiwan Semiconductor Single 1 Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 TSM2302CX RFG
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3
- Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
