Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSATMA1

RS Stock No.:: 171-1961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC014N04LSATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 1250 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,553.75

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB497.35

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB532.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

4,960 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 1240	THB49.735	THB497.35	-
1250 - 2490	THB48.492	THB484.92	THB1,553.75
2500 +	THB47.745	THB477.45	THB4,975.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 171-1961
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSC014N04LSATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	TDSON
	Series	OptiMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	61nC
	Maximum Power Dissipation Pd	96W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	5.15mm
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	J-STD20 and JESD22
	Width	6.15mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type TDSON
	Series OptiMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 61nC
	Maximum Power Dissipation Pd 96W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 5.15mm
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals J-STD20 and JESD22
	Width 6.15mm
	Automotive Standard No

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 40V Maximum Drain Source Voltage, 100A Maximum Continuous Drain Current - BSC014N04LSATMA1

This MOSFET is a high-current N-channel switching transistor designed for surface-mount power applications. It operates across a wide temperature span, supports substantial continuous drain currents and is intended for compact power conversion and high-efficiency switching tasks in industrial electronic systems.

Features and Benefits:

• 1.4mΩ low Rds(on) reduces conduction losses
• 100A continuous drain current enables high-current handling
• 40V drain-source rating permits mid-voltage power stages
• 61nC typical gate charge supports fast switching performance
• 96W maximum power dissipation allows significant thermal loading
• 20V maximum gate-source voltage accommodates robust gate drive

Applications

• Suitable for DC-DC converter primary and secondary stages
• Ideal for high-current power rails in industrial equipment
• Used with synchronous buck converters for efficient switching
• Can be used for motor driver half-bridge modules
• Suitable for compact surface-mount power assemblies

What package and mounting method does it use?

It is supplied in an 8-pin TDSON package and intended for surface mounting to a board.

How does it cope with extended temperature ranges?

It is rated to operate from -55°C up to 150°C, enabling use in demanding thermal environments.

What gate-drive limitations should designers observe?

The device permits a maximum gate-source voltage of 20V, so gate drivers must remain within this limit.

What electrical polarity and channel behaviour does it follow?

It is an enhancement-mode N-channel device and requires positive gate drive to conduct.