Nexperia PMV20XNE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV20XNER

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*

THB203.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB217.275

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 03 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
25 - 725THB8.122THB203.05
750 - 1475THB7.918THB197.95
1500 +THB7.797THB194.93

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
170-5372
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMV20XNER
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

PMV20XNE

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

38mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

6.94W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3mm

Width

1.4 mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
Robust interfacing between asynchronous and synchronous systems. Flip-flops are Basic storage elements in digital electronics. By only allowing the output to change on an edge transition, flip-flops provide a robust Interface between asynchronous and synchronous systems. With a choice of either positive or negative edge triggered options they provide added design flexibility.

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Trench MOSFET technology

Low threshold voltage

Enhanced power dissipation capability of 1200 mW

ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM

Target applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side load switch

Switching circuits

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง