Nexperia PMV20XNE Type N-Channel MOSFET, 7.2 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV20XNER
- RS Stock No.:
- 170-5372
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMV20XNER
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB203.05
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB217.275
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 3,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 03 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 725 | THB8.122 | THB203.05 |
| 750 - 1475 | THB7.918 | THB197.95 |
| 1500 + | THB7.797 | THB194.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 170-5372
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMV20XNER
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | PMV20XNE | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 38mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.94W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3mm | |
| Width | 1.4 mm | |
| Height | 1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series PMV20XNE | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 38mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.94W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3mm | ||
Width 1.4 mm | ||
Height 1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Robust interfacing between asynchronous and synchronous systems. Flip-flops are Basic storage elements in digital electronics. By only allowing the output to change on an edge transition, flip-flops provide a robust Interface between asynchronous and synchronous systems. With a choice of either positive or negative edge triggered options they provide added design flexibility.
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Trench MOSFET technology
Low threshold voltage
Enhanced power dissipation capability of 1200 mW
ElectroStatic Discharge (ESD) protection: 2 kV HBM
Target applications
Relay driver
High-speed line driver
Low-side load switch
Switching circuits
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia PMV20XNE Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDT451AN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT451AN
- onsemi NDT451AN Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
