Nexperia Type N-Channel MOSFET, 4.7 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB14,979.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,029.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 - 3000THB4.993THB14,979.00
6000 - 9000THB4.843THB14,529.00
12000 +THB4.698THB14,094.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
151-3058
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
PMV28UNEAR
ผู้ผลิต:
Nexperia
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

4.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.2nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

3.9W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Width

1.4 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Automotive MOSFETs, The world's largest portfolio of AEC-Q101 qualified power MOSFETs, An in-depth understanding of automotive system requirements and focused technical capability enables Nexperia to provide power semiconductor solutions across a wide spectrum of applications. From driving a simple lamp to the sophisticated needs of power control in engine, body or chassis applications, Nexperia Power Semiconductors can provide the answer to many automotive system power problems.

AEC-Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating

20 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Low threshold voltage

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

AEC-Q101 qualified

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง