STMicroelectronics MDmesh DM2 N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 STW70N60DM2

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 60 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB515.16

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*

THB11,849.94

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB12,679.44

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 เมษายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อหลอด*
การประหยัด
30 - 30THB394.998THB11,849.94-
60 - 90THB386.412THB11,592.36THB515.16
120 +THB377.825THB11,334.75THB2,060.76

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
168-5904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
STW70N60DM2
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

STMicroelectronics

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-247

Series

MDmesh DM2

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

42mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

121nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-25V, +25V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

446W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Length

15.75mm

Standards/Approvals

No

Height

20.15mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET Transistors, STMicroelectronics


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง