IXYS Type N-Channel MOSFET, 28 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN32N100Q3

RS Stock No.:: 168-4754
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN32N100Q3
ผู้ผลิต:: IXYS

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 10 ชิ้น)*

THB24,688.23

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26,416.41

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
10 - 10	THB2,468.823	THB24,688.23
20 - 30	THB2,394.758	THB23,947.58
40 +	THB2,322.915	THB23,229.15

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 168-4754
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IXFN32N100Q3
ผู้ผลิต:: IXYS

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1kV
	Package Type	SOT-227
	Mount Type	Panel
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	320mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	195nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	780W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	9.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	25.07 mm
	Length	38.23mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 28A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV
	Package Type SOT-227
	Mount Type Panel
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 320mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 195nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 780W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 9.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 25.07 mm
	Length 38.23mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.

Fast intrinsic rectifier diode

Low RDS(on) and QG (gate charge)

Low intrinsic gate resistance

Industry standard packages

Low package inductance

High power density

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

IXYS Type N-Channel MOSFET, 28 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN32N100Q3

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series

MOSFET Transistors, IXYS

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง