onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 5.8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23

RS Stock No.:: 166-2691
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDC608PZ
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 5.8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB29,271.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB31,320.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 - 3000	THB9.757	THB29,271.00
6000 - 9000	THB9.464	THB28,392.00
12000 +	THB9.18	THB27,540.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-2691
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: FDC608PZ
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	PowerTrench
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	43mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	17nC
	Forward Voltage Vf	-0.7V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Width	1.7 mm
	Length	3mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.8A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series PowerTrench
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 43mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.6W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC
	Forward Voltage Vf -0.7V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Width 1.7 mm
	Length 3mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: MY

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi PowerTrench Type P-Channel MOSFET, 5.8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-23

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง