onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET, 50 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- RS Stock No.:
- 325-7625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFP50N06
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB80.48
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB86.11
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 241 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 + | THB80.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 325-7625
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- RFP50N06
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 50A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | MegaFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 131W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 9.4mm | |
| Width | 4.83 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 50A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series MegaFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 131W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.67mm | ||
Height 9.4mm | ||
Width 4.83 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor
The MegaFET process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilisation of silicon, resulting in outstanding performance.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RFP50N06
- onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- onsemi MegaFET Type N-Channel MOSFET 50 V Enhancement, 3-Pin TO-252 RFD16N05LSM9A
- Vishay IRFZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay IRFZ Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFZ40PBF
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP55NF06
- STMicroelectronics STripFET II Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP55NF06FP