onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

RS Stock No.:: 166-2654
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDS9948
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB25,055.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB26,810.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

2,500 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2500 - 2500	THB10.022	THB25,055.00
5000 - 7500	THB9.721	THB24,302.50
10000 +	THB9.43	THB23,575.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 166-2654
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NDS9948
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOIC
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	500mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	-0.8V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOIC
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 500mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf -0.8V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Width 4 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.

The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this Advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.

Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

onsemi Isolated PowerTrench 2 Type P-Channel MOSFET, 2.3 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง