Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 7-Pin PQFN

RS Stock No.:: 165-7468
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFHS9301TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 7-Pin PQFN

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB28,424.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB30,412.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

36,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4000 - 4000	THB7.106	THB28,424.00
8000 - 12000	THB6.893	THB27,572.00
16000 +	THB6.686	THB26,744.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 165-7468
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFHS9301TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	65mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2.1W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	0.95mm
	Length	2.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	2.1 mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 65mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2.1W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 0.95mm
	Length 2.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 2.1 mm
	Automotive Standard No

COO (Country of Origin):: TH

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 7-Pin PQFN

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon

MOSFET Transistors, Infineon

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง