Vishay SiHF630S Type N-Channel MOSFET, 9 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 165-5995
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF630STRL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB27,896.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB29,849.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 16 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | THB34.871 | THB27,896.80 |
| 1600 - 2400 | THB33.825 | THB27,060.00 |
| 3200 + | THB32.81 | THB26,248.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5995
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SIHF630STRL-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | SiHF630S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 400mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 43nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Forward Voltage Vf | 2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 4.83mm | |
| Width | 9.65 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series SiHF630S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 400mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 43nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Forward Voltage Vf 2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.67mm | ||
Height 4.83mm | ||
Width 9.65 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SiHF630S Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF630STRL-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF620S Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SUM90220E Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay EF Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263
