Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF530NSTRLPBF
- RS Stock No.:
- 165-5884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF530NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1600 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,444.80
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 800 ชิ้น)*
THB24,084.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB25,769.60
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 2,400 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 800 - 800 | THB30.105 | THB24,084.00 | - |
| 1600 - 2400 | THB29.202 | THB23,361.60 | THB1,444.80 |
| 3200 + | THB28.326 | THB22,660.80 | THB5,692.80 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 165-5884
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF530NSTRLPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 90mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 70W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 9.65mm | |
| Length | 10.67mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 90mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 70W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 9.65mm | ||
Length 10.67mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF530NSTRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR3410TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-251 IRLU3410PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF530NPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V TO-263 IRL530NSTRLPBF
