Nexperia Type N-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- RS Stock No.:
- 153-0729
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMV100ENEAR
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB15,273.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB16,341.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 กรกฎาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB5.091 | THB15,273.00 |
| 6000 - 9000 | THB4.938 | THB14,814.00 |
| 12000 + | THB4.79 | THB14,370.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 153-0729
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMV100ENEAR
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 118mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 4.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 1.4 mm | |
| Height | 1mm | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 118mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 4.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 1.4 mm | ||
Height 1mm | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
30 V, N-channel Trench MOSFET, N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Logic level compatible
Very fast switching
Trench MOSFET technology
ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM
AEC-Q101 qualified
Relay driver
High-speed line driver
Low-side loadswitch
Switching circuits
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV100ENEAR
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV50ENEAR
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 PMV25ENEAR
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23