Nexperia Type P-Channel MOSFET, -2.9 A, -20 V Enhancement, 4-Pin DFN
- RS Stock No.:
- 153-0723
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMXB75UPEZ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 5000 ชิ้น)*
THB17,440.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB18,660.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 12 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | THB3.488 | THB17,440.00 |
| 10000 - 15000 | THB3.383 | THB16,915.00 |
| 20000 + | THB3.282 | THB16,410.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 153-0723
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- PMXB75UPEZ
- ผู้ผลิต:
- Nexperia
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -2.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | DFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 950mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 8.33W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.36mm | |
| Width | 1.05 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 1.15mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -2.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type DFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 950mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 8.33W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.36mm | ||
Width 1.05 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 1.15mm | ||
Automotive Standard No | ||
20 V, P-channel Trench MOSFET, P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Trench MOSFET technology
Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
Exposed drain pad for excellent thermal conduction
ElectroStatic Discharge (ESD) protection 1.5 kV HBM
Drain-source on-state resistance RDSon = 69 mΩ
Very low gate-source threshold voltage for portable applications VGS(th) = -0.68 V
High-side load switch and charging switch for portable devices
Power management in battery driven portables
LED driver
DC-to-DC converter
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB75UPEZ
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -12 V Enhancement, 4-Pin DFN
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 4-Pin DFN
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -12 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB65UPEZ
- Nexperia Type P-Channel MOSFET -30 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB120EPEZ
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 4-Pin DFN
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin DFN
- Nexperia Type N-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 4-Pin DFN PMXB40UNEZ