Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 8 A, 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- RS Stock No.:
- 134-9155
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3493DDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB13,866.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB14,838.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB4.622 | THB13,866.00 |
| 6000 - 9000 | THB4.484 | THB13,452.00 |
| 12000 + | THB4.349 | THB13,047.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 134-9155
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3493DDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Package Type | TSOP | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 51mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.6W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34.8nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1mm | |
| Width | 1.7 mm | |
| Length | 3.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Package Type TSOP | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 51mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.6W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34.8nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1mm | ||
Width 1.7 mm | ||
Length 3.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3493DDV-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 6-Pin TSOP
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 6-Pin TSOP Si3129DV-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3421DV-T1-GE3
- Vishay Dual TrenchFET 2 Type N 3.9 A 6-Pin TSOP
