Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC020N03LSGATMA1
- RS Stock No.:
- 133-9901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC020N03LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 1250 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB1,605.00
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB257.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB275.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- 5 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 5 - 1245 | THB51.40 | THB257.00 | - |
| 1250 - 2495 | THB50.116 | THB250.58 | THB1,605.00 |
| 2500 + | THB49.348 | THB246.74 | THB5,130.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 133-9901
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSC020N03LSGATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 96W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.35mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TDSON | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 96W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.35mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC020N03LSGATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC019N04NSGATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC035N04LSGATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC047N08NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC070N10NS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON BSC028N06LS3GATMA1
- Infineon OptiMOS 3 N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
