Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET, 37 A, 60 V, 8-Pin TSON TPN11006NL,LQ(S
- RS Stock No.:
- 133-2812P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPN11006NL,LQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ไม่พร้อมจำหน่าย
RS จะไม่สต็อกสินค้านี้อีกต่อไป
- RS Stock No.:
- 133-2812P
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- TPN11006NL,LQ(S
- ผู้ผลิต:
- Toshiba
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 37 A | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Series | U-MOSVIII-H | |
| Package Type | TSON | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance | 17 mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation | 30 W | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Length | 3.1mm | |
| Transistor Material | Si | |
| Width | 3.1mm | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Forward Diode Voltage | 1.2V | |
| Height | 0.85mm | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current 37 A | ||
Maximum Drain Source Voltage 60 V | ||
Series U-MOSVIII-H | ||
Package Type TSON | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance 17 mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Threshold Voltage 2.5V | ||
Minimum Gate Threshold Voltage 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation 30 W | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
Typical Gate Charge @ Vgs 23 nC @ 10 V | ||
Length 3.1mm | ||
Transistor Material Si | ||
Width 3.1mm | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Forward Diode Voltage 1.2V | ||
Height 0.85mm | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Toshiba U-MOSVIII-H N-Channel MOSFET 30 VLQ(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementLQ(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementLQ(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 30 V EnhancementLQ(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 40 V EnhancementLQ(O
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS4X(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 60 V EnhancementS1X(S
- Toshiba U-MOSVIII-H Type N-Channel MOSFET 80 V EnhancementS1X(S
